Вячеслав Ансимов
Корпорация
Технология, названная «strained silicon» («Растянутый кремний») позволяет добиться ускорения потока электронов в транзисторе. Для этого используется естественное стремление атомов внутри соединяемых структур выравниваться друг с другом. Если кремний поместить на подложку из материала с большим межатомным расстоянием, то кристаллическая решетка кремния будет растягиваться, стремясь выравняться с атомами подложки.
В такой растянутой структуре поток электронов испытывает меньшее сопротивление и движется на 70 процентов быстрее, что приводит в 35-процентному увеличению производительности чипа. При этом не требуется уменьшать толщину базы транзисторов, что до сих пор являлось основным методом ускорения их работы и практически исчерпало себя из-за достижения теоретических пределов этого уменьшения.
Это уже пятое крупное достижение в области полупроводниковой техники, которое делают ученые IBM за последние четыре года. В числе заслуг IBM: замена аллюминиевых соединений на кремниевом кристалле на медные, технология «кремний на диэлектрике» (SOI — замена кремниевой основы чипов стеклом), КМОП-транзисторы на кремний-германиевой (SiGe) подложке, изоляция с низкой диэлектрической постоянной SiLK.
Корпорация расчитывает внедрить strained silicon к 2003 году.
ССЫЛКИ ПО ТЕМЕ |
МАТЕРИАЛЫ ПО ТЕМЕ |
В полупроводниковых нанотехнологиях произошел прорыв — 28.04.01
IBM готовит революцию в технологиях оперативной памяти — 09.12.00
IBM создала сверхчеткий дисплей нового поколения — 14.11.00
Суперкомпьютер IBM намерен потеснить Sun с рынка — 11.09.00
Компьютер будущего: молекулярный или квантовый? — 21.08.00