IBM готовит революцию в технологиях оперативной памяти

Author:

Вячеслав Ансимов

IBM и немецкий производитель микросхем Infineon Technologies объявили в четверг об организации совместного проекта по созданию элементов оперативной памяти, в основе функционирования которых лежит явление магнетизма.

Память такого типа получила название MRAM (Magnetic Random Access Memory). В используемой сейчас DRAM запоминающими элементами являются полупроводниковые триггеры, которые требуют электропитания для поддержания заданного устойчивого состояния. Магнитные элементы в непрерывном питании не нуждаются. Таким образом, расход электроэнергии батарей переносных устройств — компьютеров, сотовых телефонов и так далее, — резко снизится.

Поскольку информация после отключения питания будет в оперативной памяти сохраняться, при включении устройства загрузка, например, операционной системы, не потребуется. Таким образом, компьютеры будут приводиться в рабочее состояние практически мгновенно.

Исследователи IBM разработали первые миниатюрные компоненты, названные «магнитными тоннельными переходами» еще в 1974 году. Дойти до создания реальных чипов MRAM удалось только в 1998 году. Теперь, используя более чем 10-летний опыт Infineon по созданию микросхем памяти, IBM рассчитывает завершить разработки и начать массовое производство к 2004 году. В проекте заняты около 80 инженеров обеих компаний.

ССЫЛКИ ПО ТЕМЕ


IBM

IBM, Infineon advance breakthrough memory technology — IBM press release, 08.12.00

МАТЕРИАЛЫ ПО ТЕМЕ


IBM спасает планету от компьютерного хлама14.11.00


IBM создала сверхчеткий дисплей нового поколения14.11.00


Суперкомпьютер IBM намерен потеснить Sun с рынка11.09.00


Союз Журналистов